垂直構(gòu)造led照明燈技術(shù)淺析
因?yàn)樗{(lán)寶石基板的導(dǎo)熱系數(shù)差，影響led照明燈的發(fā)光效率。為了處理led照明燈的散熱難題，未來有可能將主要采取垂直構(gòu)造LED的架構(gòu)，促成LED產(chǎn)業(yè)的技術(shù)發(fā)展。對(duì)于垂直構(gòu)造LED技術(shù)信賴大家都有所耳聞，下面僅從技術(shù)表層進(jìn)行介紹，謹(jǐn)供參考。
我們知道，led照明燈芯片有兩種基本構(gòu)造，橫向構(gòu)造（Lateral）和垂直構(gòu)造（Vertical）。橫向構(gòu)造LED芯片的兩個(gè)電極在LED芯片的同一側(cè)，電流在n-和p-類型限制層中橫向流動(dòng)不等的間隔。垂直構(gòu)造的LED芯片的兩個(gè)電極辨別在LED外延層的兩側(cè)，因?yàn)閳D形化電極和全部的p-類型限制層作為第二電極，使得電流幾乎全部垂直流過LED外延層，極少橫向流動(dòng)的電流，可以改良平面構(gòu)造的電流散布問題，提高發(fā)光效率，也可以處理P極的遮光問題，提升LED的發(fā)光面積。
我們先來了解下垂直構(gòu)造led照明燈的制造技術(shù)與基本方法：
制造垂直構(gòu)造led照明燈芯片技術(shù)主要有三種方法：
一、采取碳化硅基板成長(zhǎng)GaN薄膜，優(yōu)點(diǎn)是在相同操作電流條件下，光衰少、壽命長(zhǎng)，短缺處是硅基板會(huì)吸光。
二、利用芯片黏合及剝離技術(shù)制造。優(yōu)點(diǎn)是光衰少、壽命長(zhǎng)，短缺處是須對(duì)LED表面進(jìn)行處理以提高發(fā)光效率。
三、是采取異質(zhì)基板如硅基板成長(zhǎng)氮化鎵LED磊晶層，優(yōu)點(diǎn)是散熱好、易加工。
制造垂直構(gòu)造LED芯片有兩種基本方法：剝離成長(zhǎng)襯底和不剝離成長(zhǎng)襯底。其中成長(zhǎng)在砷化鎵成長(zhǎng)襯底上的垂直構(gòu)造GaP基LED芯片有兩種構(gòu)造：
不剝離導(dǎo)電砷化鎵成長(zhǎng)襯底：在導(dǎo)電砷化鎵成長(zhǎng)襯底上層迭導(dǎo)電DBR反射層，成長(zhǎng)GaP基LED外延層在導(dǎo)電DBR反射層上。
剝離砷化鎵成長(zhǎng)襯底：層迭反射層在GaP基LED外延層上，鍵合導(dǎo)電支持襯底，剝離砷化鎵襯底。導(dǎo)電支持襯底包含，砷化鎵襯底，磷化鎵襯底，硅襯底，金屬及合金等。
另外，成長(zhǎng)在硅片上的垂直GaN基LED也有兩種構(gòu)造：
不剝離硅成長(zhǎng)襯底：在導(dǎo)電硅成長(zhǎng)襯底上層迭金屬反射層或?qū)щ奃BR反射層，成長(zhǎng)氮化鎵基LED外延層在金屬反射層或?qū)щ奃BR反射層上。
剝離硅成長(zhǎng)襯底：層迭金屬反射層在氮化鎵基LED外延層上，在金屬反射層上鍵合導(dǎo)電支持襯底，剝離硅成長(zhǎng)襯底。
再簡(jiǎn)單解釋制造垂直氮化鎵基LED工藝流程：層迭反射層在氮化鎵基LED外延層上，在反射層上鍵合導(dǎo)電支持襯底，剝離藍(lán)寶石成長(zhǎng)襯底。導(dǎo)電支持襯底包含，金屬及合金襯底，硅襯底等。
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